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Samsung reclama primeiro chip de 40nm DRAM, GDDR5 possivel

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Set 24, 2006
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Não há muito tempo, reportámos como a produção de chips DDR3 DRAM em linhas de 50nm seria mais barato e rápido, do que aqueles que são produzidos nas actuais linhas de produção.

A Elpida, a Samsung, e também a falida Qimonda estão todas no processo ou planeamento para transitar para estas novas geometrias com o objectivo de reduzir custos e aumentar os lucros. A DDR2 DRAM está actualmente a ser vendida praticamente ao nível do breakeven para muitos fabricantes de DRAM.

A Samsung, a número um na produção DRAM, anunciou hoje que está a desenvolver módulos de 1GB DDR2 SODIMM utilizando chips de 1Gb DDR2 DRAM sob um processo de fabricação a 40nm. A Samsung espera ter ganhos ao nível do consumo em cerca de 30% se forem utilizadas baixas voltagens.

Um tamanho mais pequeno também significa que pode ser introduzida maior densidade, tal como os chips Samsung 4Gb DDR3. Esses poderão ser utilizados para construir módulos de 8GB DIMM e SODIMM. A Samsung já revelou que pretende aplicar a sua tecnologia de 40nm para desenvolver um chip de 2Gb DDR3 para produção em massa até finais de 2009, reduzindo drasticamente os preços do DDR3.

A Samsung está actualmente a investigar também, um novo processo de 32nm para futura produção de chips DRAM.

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