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Synchronous DRAM, o tipo de memória mais utilizada atualmente, encontrada na forma de módulos DIMM. As memórias SDRAM operam sempre sincronizadas com a freqüência da placa mãe, o que explica a existência de módulos PC-66, PC-100 e PC-133, que indicam a freqüência máxima suportada por cada um.
Tanto as memórias FPM quanto as memórias EDO são assíncronas, isto significa que elas trabalham em seu próprio ritmo, independentemente dos ciclos da placa mãe. Isso explica por que memórias FPM que foram projetadas para funcionar em placas para processadores 386 ou 486 (que trabalham com Bus de 25, 30, 33 ou 40 MHz), funcionam sem problemas em placas para processadores Pentium, que funcionam a 66 MHz. Na verdade, as memórias continuam trabalhando na mesma velocidade, o que muda são os tempos de espera que passam a ser mais altos. Assim, ao invés de responder a cada 2 ciclos da placa mãe, por exemplo, elas podem passar a responder a cada 3 ou 4 ciclos, funcionando normalmente.
As memórias SDRAM por sua vez, são capazes de trabalhar sincronizadas com os ciclos da placa mãe, sem tempos de espera. Isto significa, que a temporização das memórias SDRAM é sempre de uma leitura por ciclo. Independentemente da velocidade de barramento utilizada, os tempos de acesso poderão ser de 5-1-1-1. Observe que apenas a partir do segundo ciclo a memória é capaz de manter um acesso por ciclo, o primeiro acesso continua tão lento quanto em memórias EDO e FPM, consumindo 5 ciclos.
Como é preciso que a memória SDRAM a ser usada seja rápida o suficiente para acompanhar a placa mãe, é possível encontrar versões com tempos de acesso entre 15 e 6 nanossegundos.
Para determinar a velocidade máxima de operação de um módulo de memória SDRAM, basta dividir 1000 pelo seu tempo de acesso: um módulo com tempo de acesso de 15 nanos poderia trabalhar a apenas 66 MHz, já que 1000/15 = 66. Outra com tempo de acesso de 12 nanos já poderia trabalhar a 75 ou até 83 MHz, já que 1000/12 = 83. Para confirmar a validade deste cálculo, basta dividir 1 segundo por 83 milhões de ciclos da placa mãe e teremos justamente 12 nanos.
Justamente o fato de trabalharem sincronizadas com os ciclos da placa mãe torna as memórias SDRAM muito mais rápidas que suas antecessoras. Um módulo com tempo de acesso de 12 nanossegundos consegue ser cerca de 30% mais rápido que módulos de memórias EDO de 60 nanos, a 66 MHz (5 + 1 + 1 + 1 = 8 ciclos por 4 acessos na memória SDRAM contra 5 + 2 + 2 + 2 = 11 ciclos por 4 acessos da memória EDO) e quase 50% mais rápido a 83 MHz (5 + 1 + 1 + 1 = 8 da memória SDRAM contra 6 + 3 + 3 + 3 = 15 da memória EDO). Caso fosse utilizado um barramento de 100 MHz (neste caso precisaríamos de memórias PC-100), as memórias EDO se mostrariam quase 2.5 vezes mais lentas (5 + 1 + 1 + 1 = 8 contra 7 + 4 + 4 + 4 = 19).
Por não trabalharem sincronizadas com o clock da placa mãe, as memórias FPM e EDO poderiam trabalhar com qualquer freqüência de barramento: 100, 133, 200 MHz, ou até mais, desde que os tempos de espera fossem setados corretamente. Porém, quanto mais alta a velocidade, maiores teriam que ser os tempos de espera e pior seria o desempenho das memórias. Por isso, não se costuma utilizar memórias EDO ou FPM em frequências de barramento superiores a 75 MHz, apenas memórias SDRAM.
Tanto as memórias FPM quanto as memórias EDO são assíncronas, isto significa que elas trabalham em seu próprio ritmo, independentemente dos ciclos da placa mãe. Isso explica por que memórias FPM que foram projetadas para funcionar em placas para processadores 386 ou 486 (que trabalham com Bus de 25, 30, 33 ou 40 MHz), funcionam sem problemas em placas para processadores Pentium, que funcionam a 66 MHz. Na verdade, as memórias continuam trabalhando na mesma velocidade, o que muda são os tempos de espera que passam a ser mais altos. Assim, ao invés de responder a cada 2 ciclos da placa mãe, por exemplo, elas podem passar a responder a cada 3 ou 4 ciclos, funcionando normalmente.
As memórias SDRAM por sua vez, são capazes de trabalhar sincronizadas com os ciclos da placa mãe, sem tempos de espera. Isto significa, que a temporização das memórias SDRAM é sempre de uma leitura por ciclo. Independentemente da velocidade de barramento utilizada, os tempos de acesso poderão ser de 5-1-1-1. Observe que apenas a partir do segundo ciclo a memória é capaz de manter um acesso por ciclo, o primeiro acesso continua tão lento quanto em memórias EDO e FPM, consumindo 5 ciclos.
Como é preciso que a memória SDRAM a ser usada seja rápida o suficiente para acompanhar a placa mãe, é possível encontrar versões com tempos de acesso entre 15 e 6 nanossegundos.
Para determinar a velocidade máxima de operação de um módulo de memória SDRAM, basta dividir 1000 pelo seu tempo de acesso: um módulo com tempo de acesso de 15 nanos poderia trabalhar a apenas 66 MHz, já que 1000/15 = 66. Outra com tempo de acesso de 12 nanos já poderia trabalhar a 75 ou até 83 MHz, já que 1000/12 = 83. Para confirmar a validade deste cálculo, basta dividir 1 segundo por 83 milhões de ciclos da placa mãe e teremos justamente 12 nanos.
Justamente o fato de trabalharem sincronizadas com os ciclos da placa mãe torna as memórias SDRAM muito mais rápidas que suas antecessoras. Um módulo com tempo de acesso de 12 nanossegundos consegue ser cerca de 30% mais rápido que módulos de memórias EDO de 60 nanos, a 66 MHz (5 + 1 + 1 + 1 = 8 ciclos por 4 acessos na memória SDRAM contra 5 + 2 + 2 + 2 = 11 ciclos por 4 acessos da memória EDO) e quase 50% mais rápido a 83 MHz (5 + 1 + 1 + 1 = 8 da memória SDRAM contra 6 + 3 + 3 + 3 = 15 da memória EDO). Caso fosse utilizado um barramento de 100 MHz (neste caso precisaríamos de memórias PC-100), as memórias EDO se mostrariam quase 2.5 vezes mais lentas (5 + 1 + 1 + 1 = 8 contra 7 + 4 + 4 + 4 = 19).
Por não trabalharem sincronizadas com o clock da placa mãe, as memórias FPM e EDO poderiam trabalhar com qualquer freqüência de barramento: 100, 133, 200 MHz, ou até mais, desde que os tempos de espera fossem setados corretamente. Porém, quanto mais alta a velocidade, maiores teriam que ser os tempos de espera e pior seria o desempenho das memórias. Por isso, não se costuma utilizar memórias EDO ou FPM em frequências de barramento superiores a 75 MHz, apenas memórias SDRAM.