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Protótipos de memória DDR4 demonstradas na ISSCC

helldanger1

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Dois módulos de memória DDR4 foram mostrados fora neste ISSCC anos.

Com DDR4 DRAM deve chegar ao mercado em 2013, dois fabricantes aproveitaram a oportunidade neste ano Conferência Internacional de Circuitos de Estado Sólido (ISSCC) para demonstrar a sua DRAM DDR4. Espera-se que DDR4 irá representar 50 por cento do mercado em meados de 2015, após o seu lançamento inicial no lado do servidor em 2013.

DDR4 é ajustado para ter uma taxa de transferência de dados de 2133 MT / s para 4266 MT / s em comparação a 800 MT / s para 2133 MT / s de memória DDR3. DDR4 também deve ter requisitos de tensão significativamente mais baixos do que DDR3. Isto irá exigir entre 1,05 V a 1,2 V para operar, enquanto que DDR3 requer entre 1,2 V a 1,5 V. O requisito de tensão mais baixa Espera-se que reduz o consumo de energia em 40 por cento em comparação com um módulo de 1,5 V DDR3. DDR4 não será pinos compatível com DDR3, o que significa que não será compatível.

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Módulo da Samsung DRAM DDR4 pode atingir taxas de transferência de dados de 2133 Gb / s em 1,2 V, comparado a 1.35V e 1.5V DDR3 DRAM em uma tecnologia de processo 30nm-class equivalente, com velocidades de até 1,6 Gb / s. Dispositivo da Hynix DDR4 trabalha em 2400MHz (2400 Mb / s) em 1.2V e processos de até 19,2 GB / s de dados por segundo com uma de 64 bits I / O. Hynix utilizou sua tecnologia de processo 38nm de fabricação, enquanto a Samsung utilizou o nó de 30nm em vez.

Outros fabricantes, como, Elpida, Micron e Nanya, não mostrar os seus protótipos DDR4, mas espera-se que ao final de 2012. Com DDR4 set para bater o mercado entusiasta PC em 2014, é que você vai fazer o salto para DDR4 ou esperar até que se torne popular bem como muitos usuários fizeram com a mudança de DDR2 para DDR3?
 
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