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O fabricante lançou também suportes de armazenamento com 128GB , 256GB e 512GB baseados na nova tecnologia V-Nand.
A Samsung elevou o patamar do armazenamento flash com um suporte SSD com 1 TB de capacidade, que beneficiam da segunda geração de tecnologia V-Nand. O componente é dirigido a PC de alta gama, e a unidade é baseado na tecnologia V- Nand, segundo a qual os chips de armazenamento são conjugados verticalmente.
O fabricante anunciou SSD com 128GB , 256GB e 512GB. A drive de 1TB pode aumentar a capacidade SSD em portáteis, o que atingiu em geral os 512GB. Os novos suportes têm duas vezes a durabilidade na gravação de dados.
São também 20% mais eficientes na utilização de energia, do que as SSD com tecnologia NAND convencional, na qual os módulos de armazenamento são colocados lado a lado, defende a Samsung. Os preços para os componentes não foram revelados.
A Samsung evoluiu a sua tecnologia V-Nand original para o empilhamento 32 camadas de armazenamento NAND, num só conjunto de chips. A primeira geração de V- Nand, foi anunciada em Agosto do ano passado, e suportava a conjugação de 24 camadas na vertical.
A transferência de dados entre camadas é realizada através de tecnologia proprietária de comunicação. O empilhamento de chips de armazenamento é visto como a nova forma de adicionar capacidade a dispositivos, conforme as suas dimensões vão sendo ficam menores e mais eficientes em termos de energia.
Fonte: computerworld
A Samsung elevou o patamar do armazenamento flash com um suporte SSD com 1 TB de capacidade, que beneficiam da segunda geração de tecnologia V-Nand. O componente é dirigido a PC de alta gama, e a unidade é baseado na tecnologia V- Nand, segundo a qual os chips de armazenamento são conjugados verticalmente.
O fabricante anunciou SSD com 128GB , 256GB e 512GB. A drive de 1TB pode aumentar a capacidade SSD em portáteis, o que atingiu em geral os 512GB. Os novos suportes têm duas vezes a durabilidade na gravação de dados.
São também 20% mais eficientes na utilização de energia, do que as SSD com tecnologia NAND convencional, na qual os módulos de armazenamento são colocados lado a lado, defende a Samsung. Os preços para os componentes não foram revelados.
A Samsung evoluiu a sua tecnologia V-Nand original para o empilhamento 32 camadas de armazenamento NAND, num só conjunto de chips. A primeira geração de V- Nand, foi anunciada em Agosto do ano passado, e suportava a conjugação de 24 camadas na vertical.
A transferência de dados entre camadas é realizada através de tecnologia proprietária de comunicação. O empilhamento de chips de armazenamento é visto como a nova forma de adicionar capacidade a dispositivos, conforme as suas dimensões vão sendo ficam menores e mais eficientes em termos de energia.
Fonte: computerworld