Processadores chegam ao patamar dos 7 nanómetros

[Furabilhas]

Processadores chegam ao patamar dos 7 nanómetros​

Engenheiros apresentam as pastilhas com os chips de 7 nanómetros.[Imagem: IBM]

Limites da miniaturização​

Antes apontado como o "limite físico da microeletrónica", o patamar dos 10 nanómetros foi superado.
Engenheiros da IBM e da Samsung conseguiram fabricar chips com detalhes de apenas 7 nanómetros.
Os transístores foram construídos com uma liga de silício e germânio, em lugar do silício dopado convencional.
Com essa miniaturização, rapidamente será possível colocar cerca de 20 bilhões de transístores num único chip, ampliando a validade da bem conhecida Lei de Moore.
Os processadores mais modernos têm componentes na faixa dos 14 nanómetros, enquanto a engenharia dos 10 nanómetros está quase pronta para ir para a escala industrial.
Menos do que isto, usando apenas silício, exigiria mudanças tecnológicas ainda por serem desenvolvidas.

Transistores 3D de SiGe​

A solução veio com o uso de uma liga de silício e germânio (SiGe) - que permite uma maior mobilidade dos electrões do que o silício puro - para fabricar transístores do tipo FinFET, uma estrutura mais complexa de transístor 3D, na qual cada componente tem duas portas.
O avanço também permitiu aumentar a densidade dos transístores por área do chip, colocando-os apenas a 30 nanómetros uns dos outros.
Os transístores de 7 nanómetros são o primeiro fruto de um esforço anunciado pela IBM há pouco mais de um ano, no qual seriam investidos 3biliõs de US$ para chegar à era pós-silício.